电力-算力(卡)-内存-光纤，成了AI的硬件瓶颈。
最近存储行业烈火烹油，闪迪、美光、海力士的股票一飞冲天气贯长虹，员工年终奖金山银山。(光纤也是)。做一点学习笔记吧。
❶ 存储介质 Nand和Dram
Dram内存，用作手机/电脑/显卡的内存，速度快得多。
Nand闪存，一般用作SSD固态硬盘，性价比更高。
❷ 摩尔定律还有效吗？
自己亲身体会：无效。2年前买的SSD，现在的价格竟然比当时还贵。
因为物理定律的限制，摩尔定律在内存行业早已失效。
以前是行业指导，现在是结界压制。
现在的存储容量上升，主要靠的是层数的堆叠。
就和CPU靠的是多核的堆叠一样。
如HBM是DRAM的堆叠。
多核还有个好处，会降低运行的平均电压，从而带来更好的功率体验。
❸ Nand的颗粒
QLC和TLC是颗粒密度，Q和T分别代表四层和三层，TLC更耐用安全，适合频繁读写，属于高端颗粒。QLC的性价比更高。
因为存储靠的是电容，多次反复擦写后，颗粒电容可能被击穿，从而失效。所以nand有存储次数限制，读数据对闪存颗粒有间接损耗。
slc缓存是dram吗？不是，是Nand的一种模拟技术，相当于操作流程的优化。
❹ 传输方式
SATA是旧时代标准，极限600MB/s；
NVMe是新标准，传输带宽远超前者。走的是PCIe通道，带宽技术还在持续升级中。
❺ DRAM的技术标准
根据数据访问速率而定，现在的主流的DDR5双子通道设计，后续的明星则是DDR6四子通道设计。
写到这里，内存界乃至整个AI时代的最高法则，也很明显了，一言以蔽之：
天下武功，唯快不破。
