最先进的平面NAND工艺可以达到1Xnm水平，然而，20nm结点以下我们就很难实现高性能和高可靠性的存储。在这个尺度继续微缩Cell尺寸，我们会遇到一系列物理现象，严重影响NAND flash的操作裕量。我们接下来学习几个主要的物理参数和限制的物理现象。
首先我们列出每代Cell结点微缩的尺寸，BL微缩因子x0.85，WLx0.8，Wx0.9，IPD的厚度x0.95。
读取窗口裕量Read Window Margin (RWM)
前面我们提到过，在Cell微缩过程中，最关切的因素是RWM，从图中我们可以回忆起RWM的定义。RWM由写入和擦除状态的Vt分布展宽决定，主要影响的物理过程为FG-FG耦合干扰，其次还有EIS、BPD、RTN等。
根据理论计算和实验结果，我们可以预测出各种物理现象减少RWM的程度。很明显，FG-FG耦合是最主要的因素，且随Cell微缩变强。在1X以下，量子涨落开始明显，RTN和EIS现象增强。
在引入空气间隙AG后，FG耦合影响缓解。根据预测，如果AG将FG耦合作用减轻60%，则有望将结点推进到1Z以下，保持足够的Vt window。
这里，我们还发现，对RWM影响更大的一侧，是擦除状态的展宽。首先，擦除状态E与周围Cell的Vt差值最大；其次，所有相邻Cell的写入操作都会干扰E态；此外，写入操作没有对E态分布收紧的步骤。下图计算结果预测，对E态右边缘影响最大的因素是Y方向的FG-FG耦合。
针对E态的展宽，我们可以将擦除深度增大，如初始擦除E态从-2V到-4V。此方法的缺点是，需要更强的擦除电压，因此牺牲了可靠性。且因为写入的Vt移动量更大，所以也会使写入状态的分布稍微展宽。综合来说，深擦除方法可以在一定程度上拓宽RWM。
