（请确保阅读文末的特别声明）
一、什么是HBM
HBM（High-Bandwidth Memory，高带宽内存）是把多个 DRAM 芯片用 TSV（硅通孔）+ 微凸点垂直堆叠成“DRAM 塔”，再把 4-8 颗塔和一颗逻辑芯片（Base Die）一起用 2.5D/3D 封装技术“扣”在硅中介层（Interposer）上，最后与 GPU/CPU/ASIC 并排倒装，实现“短、密、宽”的数据通路。
HBM技术把内存从“条”变成“楼”，用更短、更宽的通道换来数倍带宽，同时牺牲容量和延迟，换取功耗和面积优势。
HBM 的“高带宽＋低功耗＋小面积”三位一体，决定了它只在“算力贵、功耗贵、面积贵”的场景才值得用，所以用途非常聚焦：
1、AI 训练/推理
GPU/TPU/ASIC 的算力每 18 个月翻一番，传统 GDDR 的脚却迈不开，HBM 成为唯一能让内存带宽跟上算力膨胀的“安全带”。A100/H100、昇腾 910、Gaudi 系列都靠 HBM3 喂饱 2-3 TB/s 的胃口。
2、HPC & 超算
大型 CFD、气象、量子模拟的访存强度是消费级 10-100 倍，美国 Frontier、日本富岳、中国“天河”下一代节点都把 HBM2E/3 当主存或近存，用来把 “内存墙” 从 100 ns 压到 20 ns 量级。
3、网络交换/路由芯片
25.6 Tbps 以上交换芯片需要 1-2 TB/s 的查找表和包缓冲带宽，DDR 走线太多放不下，HBM 一颗就能省 70% PCB 面积，思科、博通、华为高端路由已批量导入。
4、高端 FPGA 和 ADAS
自动驾驶做 4D 毫米波融合、激光雷达实时 SLAM 时，带宽峰值 >500 GB/s，赛灵思 XCVU19P、Intel Stratix NX 都带 HBM2，把原本需要 8-16 颗 DDR5 的体积压到 1 颗。
5、图形与 XR 渲染
专业可视卡（NVIDIA RTX A6000、AMD Radeon Pro）用 HBM2E 做超大显存，保证 8K 多路纹理实时加载；苹果 Vision Pro 的专用 R1 芯片也集成 HBM 级封装，把 12 ms 运动到光子延迟压到 5 ms 以下。
一句话：凡是“算力等内存”的地方，HBM 就是刚需；日常手机、PC 对容量/价格更敏感，继续用 LPDDR/DDR 就够了。
二、目前HBM主要厂商和行业格局
截至 2026 年初，全球 HBM 市场已形成“一超两强”的固化三角，短期看不到第四家能实质分杯羹的玩家：
1、SK 海力士——绝对霸主
• 2025 Q3 出货量份额 57 %，营收份额 60 % 左右，连续四年第一 。
• 技术领先同行 1-2 个季度：率先量产 12Hi HBM3E（带宽 1.2 TB/s），并拿到 NVIDIA Rubin、谷歌 TPU v7 的首发订单 。
• 2026 年 HBM 销售额预计 293 亿美元，占全市场 53 %；营业利润率 63 %，远高于同行 。
截止26年1月9日总市值4230亿美元，26年预计收入934亿美元，净利润370亿美元。
2、三星电子——产能巨无霸，正在追赶
• 2025 Q2 一度被美光反超跌至第三（17 %），Q3 凭 HBM3E 通过英伟达认证，份额迅速拉回 22 %，预计 2026 年升至 25 % 。
• 月产能全球最高（>20 万片），但良率仍低于海力士，导致“产能≠出货”；已送样 11 Gbps 的 HBM4，目标 2026 下半年攻入 Rubin Ultra 。
3、美光科技——“小而精”的第三名
• 2025 Q2 曾以 21 % 份额首次超越三星，Q3 维持 21 %，稳居第三 。
• 核心打法只有两句话——“功耗做最低、产能锁最满”。 策略聚焦 8Hi HBM3E，功耗比同行低 30 %，拿下 NVIDIA、AMD 部分订单；但缺乏 12Hi 与 HBM4 量产时间表，2026 年份额预估 20 % 左右 。
三、国产HBM进展的情况
国产HBM（高带宽内存）在2025-2026年已经从“实验室”走到“小批量”，但离真正上规模、进主流还差“设备+良率+客户”三道关。把目前所有公开信息拆开看，可以分成“进度、技术、产能、设备材料、客户”五条线：
1、进度线——2025Q4开始“小批量”，2026是量产元年
长鑫存储2025年8月完成12层HBM3样品交付，良率60 %；通过3个月工艺迭代，2025年11月把良率提到89 %，计划2026 Q1小批量、2026年底前规模化量产。
华为昇腾910C、寒武纪思元590已拿到样品做联调，四季度开始批量供货。
2、技术线——TSV+混合键合双线并进
• TSV：深宽比10:1（孔深60 µm、孔径6 µm），12层堆叠已跑通，但16层良率仍<70 %，散热是最大瓶颈。
• 混合键合：长江存储把3D NAND的2 µm pitch混合键合移植到HBM，理论上可做24层、带宽>3 Tb/s，2026年导入量产，与海外HBM4同步。
3、产能线——“长鑫+长江存储”双厂布局
长鑫合肥厂：2026年把HBM月产能拉到5万片晶圆（占全球总产能20-25 %）。
武汉新芯：新建12英寸专线，月产能3千片晶圆+3万颗/月先进封装，专攻HBM3/3E。
两家合计目标：2027年拿下全球15 %份额，打破三巨头垄断。
4、设备材料线——国产化率“5 %→30 %”爬坡
• 设备：高端光刻机100 %进口，EUV被卡；刻蚀/薄膜/清洗/电镀已能国产替代，北方华创、中微、盛美、迈为、华卓精科全部给出HBM专用机台，2025年国产率仍不足5 %，但2026年有望冲到30 %。
• 材料：华海诚科颗粒状环氧塑封料（GMC）国内唯一量产，打破日系垄断；博敏电子HBM3载板、回天新材底部填充胶已进昇腾供应链。
5、客户线——先“国产AI芯片”再“系统级大厂”
第一批客户：华为昇腾、寒武纪、百度昆仑芯、曙光HPC；
第二批正在认证：阿里平头哥、中兴通讯、字节跳动AI卡。
海外客户（英伟达、AMD）目前“0”，国产HBM想打进去至少要先跑完两代大规模可靠性数据。
四、合肥长鑫和长江存储的上市进程
截至 2026 年 1 月，两条上市时间轴已经跑完“辅导—受理”阶段，但节奏并不一致：
1、长江存储（长存集团）——仍处“改制完成、尚未申报”阶段
• 2025 年 9 月完成股份制改造并选出首届董事会，具备申报硬件条件 。
• 截至 2026-01-07 尚未正式递交 IPO 申请；多家媒体引述“公司及相关方”称，将在 2026 年二季度前申报，最快 2026 年四季度挂牌，最迟 2027 年一季度完成上市 。
• 估值区间 1 600–3 000 亿元，保荐机构亦为中金 + 中信建投，与长鑫相同 。
• 官方已两度声明“无借壳计划”，确认走独立 IPO 路径；子公司武汉新芯已同步启动独立科创板申报，形成“母子双平台”上市格局 。
2、合肥长鑫（长鑫科技集团）——已正式提交IPO申请
上市进程：可能成为今年A股最大的IPO
• 2025-12-30 向上交所提交科创板 IPO 申请并获受理，成为“科创板预先审阅机制”试点后首单受理项目，审核流程明显提速 。
• 拟发行不超过 106.22 亿股，募资 295 亿元，投向晶圆产线升级、DRAM 技术迭代和前瞻研发三大方向，若顺利发行将成为科创板史上募资额第二大的 IPO 。
• 公司无单一实控人，股权多元：第一大股东合肥清辉集电持股 21.67%，大基金二期、安徽省投、阿里、小米、兆易创新等均在股东名单 。
• 市场普遍预期 2026 年上半年完成挂牌，如无重大问询，最快二季度即可登陆科创板 。
财务状况：合肥长鑫（长鑫科技）最新财务指引（来自 2025-12-30 披露的招股书）：
2025 全年收入：预计 550–580 亿元人民币，同比 +127 %~+140 %；按当前汇率（1 USD≈7.2 CNY）折合 76–81 亿美元 。
2025 全年盈利
• 净利润：预计 20–35 亿元人民币，折合 2.8–4.9 亿美元，实现扭亏 。
• 归母净利润：仍为 -16 亿至 -6 亿元人民币（约 -2.2 亿至 -0.8 亿美元），主要受一次性股权激励及少数股东损益影响 。
• 扣非归母净利润：28–30 亿元人民币（≈3.9–4.2 亿美元），被市场视为“经营性盈亏平衡点已跨过” 。
2026 年展望：按当前存储价格 2026 年有望实现“全面盈利”（归母净利润转正）。
考虑到目前市场热情，目前大家至少预期合肥长鑫上市后的市值估计在5000-10000亿之间。A股会直接受益于持股的公司主要就2家。
（1）兆易创新（603986）
直接持有长鑫科技 1.88%，公司董事长朱一明同时担任长鑫科技董事长，形成“设计+代工”业务协同 。
（2）美的集团（000333）
直接持股 0.60 %，为产业战略投资 。
以上2家公司本身市值都比较大，持股市值影响不大。
五、合肥长鑫产业链相关公司
截至 2025 年底，合肥长鑫（长鑫科技）已跑通“设备-材料-封测-代理-下游”五大环节，A 股可直接对标的核心公司如下（括号内为双方合作要点）：
1、设备类
北方华创（002371）：12 英寸 TSV 刻蚀机 PSE V300 已批量导入，刻蚀深度 500 μm，占长鑫该品类 50 %+ 份额 。
中微公司（688012）：TSV 深孔刻蚀设备实现 1 μm 孔径、>50:1 深宽比，用于 HBM 垂直互连，与长鑫共研 3D 堆叠工艺 。
拓荆科技（688072）：PECVD 已批量进厂，覆盖 DRAM 高-k 介质沉积 。
精测电子（300567）：电性/缺陷检测设备已获重复订单 。
京仪装备（688652）：提供晶圆级温控、真空传送等关键模块 。
2、材料与零部件
雅克科技（002409）：前驱体 baseline 供应商，HBM 用 High-k 前驱体已小批量 。
安集科技（688019）：铜抛光液、钨抛光液在长鑫验证通过并快速放量 。
广钢气体（688548）：中标合肥 FAB2 电子大宗气站，供应氮、氧、氢、氦等超高纯气体 。
上海新阳（300236）：提供晶圆镀铜、清洗电子化学品，并参与长鑫发起设立的 10 亿元产业基金 。
博敏电子（603936）：载板、BGA 基板进入长鑫供应链 。
晶瑞电材（300655）：光刻胶、显影液持续供货 。
3、封测与模组
深科技（000021）旗下沛顿科技：占长鑫封测 50 %+ 份额，同步布局 Bumping + FO 先进封装，储备 HBM 封装工艺 。
太极实业（600667）控股海太半导体：具备 16 层堆叠封装技术储备，可为长鑫提供技术平移支持 。
4、代理/分销
兆易创新（603986）：既是股东（1.88 %）又是 DRAM 产品总代，形成设计-代工-销售闭环 。
力源信息（300184）：代理长鑫 DDR4/4X 颗粒，用于汽车、工业客户 。
商络电子（300975）：新能源、汽车电子渠道代理，位列长鑫前五大分销商 。
5、下游应用
江波龙（301308）：与长鑫签署晶圆采购 MOU8Gb DDR4 晶圆用于自有内存条品牌 。
同有科技（300302）：国产服务器/存储阵列采用长鑫颗粒，属于下游应用端 。
6、工程与洁净室
亚翔集成（603929）：负责 FAB 洁净室及化学管线总包 。
柏诚股份（601133）：厂房土建、机电工程主力供应商。
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