关于平面NAND微缩的限制，我们再讲一下工艺方面遇到的困难。
Cell结构限制
之前也提到过，在Cell微缩过程中，CG形成的裕量越来越少，也就是说在FG之间容纳CG的空隙变窄。下图是预测的CG宽度随结点演进的趋势。在1Y到1Z结点，FG和CG的宽度减小到5nm，工艺上非常困难。而且在这个尺度下，FG和CG在写入/擦除时的耗尽也难以控制，需要换成金属或硅化物。
强场限制
为了在Tox中产生足够的强场~10MV/cm，达到FN隧穿的要求，写入和擦除电压必须维持~22V。但是，Cell微缩后，相邻WL之间的电场变强，造成新的写入干扰模式。根据电磁仿真的结果，在CG到相邻FG之间存在9.7MV/cm的强场，足够发生FN隧穿使相邻Cell的Vt变低。
随着Cell微缩，WL周围的强场主要有几个危害：1、相邻FG的电子泄露到WL。2、WL之间发生泄漏甚至击穿。3、写入干扰。
电子数目限制
之前讲过，FG尺寸缩小，ONO介电层的电容减小，导致FG里存储的电子数目少到~100个，这时电子数目涨落变得明显，影响Vt分布的宽度。如果我们继续缩小FG，存储的电子数目更少时，隧穿就不能被看作简单的连续变化，而是分离的独立事件。那么我们评估Cell的性能和可靠性以及它本征的分布展宽，都需要采用不同的物理模型来描述。例如保持时间的分布，会从大量电子的高斯型分布，逐渐变成少电子的泊松分布。
图案化限制
NAND flash的Cell具有相当好的可微缩性，采用SA-STI工艺的cell可以从0.7um直接微缩到1Ynm结点。NAND flash的微缩通常只取决于光刻工艺的能力。从3Xnm结点开始，为了突破光刻的限制，NAND flash采用了双重图案化。到20nm一下，会进一步采用四重图案化工艺。当然，NAND的图案化也会遇到其他工艺里普遍的问题，例如线边缘粗糙度（LER）等。
工艺波动 Variation
工艺波动在小尺寸下越来越重要，影响到NAND Flash的性能和可靠性。随着结点演进，每类波动的影响占比也在变化。如图在25nm结点以下，RDF效应会成为占比最高的因素。但总体来说，每种工艺波动都占不可忽略的影响。
数据保持能力
随着Cell微缩，FG转角和边缘处的电场变强，不可避免的产生隧穿电流。从电磁仿真结果，可以看到FG边缘处的漏电流，最终导致数据保持能力变差。
