电源学习笔记:MOSFET 应用(2)

MOSFET 开通过程知识点总结（寄生电容影响）

一、问题根源：寄生电容导致开通不理想

• • MOSFET 内部存在三个主要寄生电容：
• • （栅-源电容）
• • （栅-漏电容，也称米勒电容）
• • （漏-源电容）
• • 这些电容使得栅极电压  不能瞬间跳变，开关波形出现明显的米勒平台（上升过程中的台阶）。

二、MOSFET 开通的四个阶段（从截止到完全导通）

一、MOSFET关断过程（与开通步骤相反，顺序相反）

与开通的对称关系：

• • 开通： 充电 → 米勒平台（ 放电， 下降） →  继续上升
• • 关断： 放电 → 米勒平台（ 充电， 上升） →  继续下降

核心概念：米勒平台是由  的充放电以及  的剧烈变化引起的，是 MOSFET 开关中最具特征的现象。

三、重要参数定义

四、开关时间的估算公式（感性负载下）

说明： 为栅极驱动电流， 为驱动电压。以上为近似估算，实际需结合仿真或测量。

五、米勒平台仿真

• 这是用LTSPICE 搭建的仿真，为了体现MOS 米勒电容的影响，在MOS 的外部并联了电容，并通过参数设置为10n ~ 200nF, 进行仿真，图上可以看到电容越大，米勒平台持续时间越久，平台越宽。
• 所以，设计中都应尽量减少寄生电容，以减轻米勒平台的影响。

四、相关英文词汇

Parasitic Capacitance ： 寄生电容

Gate Driver ：栅极驱动器