不规则过度写入（Erratic over-program）
在写入操作中，有些Cell的Vt会过大，在Vt分布的右侧出现尾部，这部分存储了过量电子的Cell即发生了不规则过度写入。对于MLC，低Vt态的过写入，会导致单个Bit错误。但最糟的情况是最高态，如果Vt漂移超过V_pass，则整条String上的Cell都会失效，因为该Cell在所有读操作中始终关闭。
多度写入的原因是写入电流的异常增大，物理机制是Tox中的缺陷降低了FN势垒，导致隧穿电流过大。
实验上，我们发现随着CG施加电压的增加，SILC电流会在特定电压下突然增加，但此时并没有达到新的空穴生成所需电场强度，缺陷实际上还是中性状态。然而，Tox中已有空穴在电场作用下发生移动，使得中性缺陷的势垒降低，进而影响整个FN势垒，导致电子隧穿突然增强。
不规则过度写入会随P/E循环次数增加而变差。它也与产品的工艺，写入/擦除操作条件有关。
负向Vt漂移现象 Negative Vt shift phenomenon
SA-STI结构中，一项非常重要的参数是场氧化高度Field oxide height（FH），定义为从沟道Si到STI顶部的距离。FH越小，CG对FG的包裹面积越大，因此耦合系数更高。另一方面，CG的屏蔽作用也能减轻FG-FG在WL方向的耦合干扰。因此，从器件性能上说，我们希望FH越小越好。但是，FH太小，CG离沟道太近，会导致强场效应，影响Cell的可靠性甚至性能。
其中一种强场效应是负向Vt漂移现象。之前在写入干扰部分提到，由于FG-FG耦合，相邻Cell写入后，受害Cell的Vt也抬高，且攻击Cell的Vt越高，受害Cell的Vt也越高。但在同一WL上的相邻Cell，会出现反常，当攻击Cell Vt很高时，受害Cell的Vt反而开始下降，即反向Vt漂移。
反向Vt漂移与FH之间有密切关系，FH越小，则反向Vt漂移越严重。
负向Vt漂移的物理机制，来自于沟道热载流子直接注入到CG。如下面示意图，在写入操作中，沟道与CG之间存在强电场，驱动热电子注入CG。热电子通过电离激发出热空穴，这些热空穴继续注入到STI上的IPD，部分进入相邻的FG中，导致受害Cell Vt发生反向漂移。
反向Vt漂移使分布展宽，影响NAND的RWM。随着Cell微缩，CG到沟道的距离减小，反向Vt漂移在2x-nm结点会成为限制因素。
